在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。

该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军，国家重大专项01专项专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

DRAM即动态随机存取存储器，是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年，中国芯片进口额超过3000亿美元，这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片，被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”，广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

据魏少军等专家介绍，我国虽是该芯片的最大应用市场，此前却始终未能出现实现量产的国产项目，没有掌握自主产能。

长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”大会现场，长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说。

DRAM的市场格局

手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起，为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示，在2019年所有IC产品中，DRAM市场仍将成为最大的类别，其销售额将达到620亿美元。同时，IC Insights也在该报告中预测，2019年DRAM销售额将占总IC销售额的17％。以此便可见DRAM市场的发展潜力。

但是，多年以来，DRAM市场一直由国外企业所垄断。据相关数据显示，2018年三星、SK 海力士、镁光在DRAM全球市场中占比分别为 45.5%，29.1%，21.1%，总占比超过 95%。

中国的消费电子市场蕴藏着巨大的发展潜力。在这种情况下，消费电子产品也为半导体产业带来了巨大的发展机会。其中，DRAM内存主要用于电脑、手机和部分消费电子产品，伴随着近几年这几类电子产品的增长，DRAM也被各大厂商所看好。但在过去的一段时间当中，中国几乎100%的DRAM存储器芯片，都是依靠进口。

Kilopass的CEO Charlie Cheng的介绍：“3500亿美元的半导体市场中储存类产品占据将近1000亿美元的份额，而其中DRAM更是占据约500亿美元的份额。”以此可见，DRAM占据了很大一部分的半导体进口额。

联想到中国的庞大的电子制造市场，这就让国内非发展不可。

国际的DRAM技术进展

从制程工艺角度来看，根据东北证券的统计显示，目前，三星已大规模采用20nm工艺，并率先量产18nm工艺；SK海力士则以25nm工艺为主，已导入21nm工艺；镁光以30nm工艺为主，20nm工艺进入良率提升阶段。

而伴随着时间的推移，DRAM已经开始步入了10nm阶段。据市场消息显示，早在2016年，三星就已经宣布其10nm 级 8Gb DDR4 DRAM 芯片已经正式进入了大规模量产的阶段，两年后，三星又宣布其第二代10nm级LPDDR4X DRAM已投入量产。另外SK海力士也在今年第一季度报告中称，除了加大初代 10nm 制造工艺（1x nm）的产量，公司还计划在今年下半年启用第二代 10nm DRAM 制造工艺（又名 1Y nm）。

据悉， 1Y nm 工艺不仅适用于年内增产的 DDR4 产线，也适用于 DDR5、LPDDR5、以及 GDDR6 DRAM 的制造。镁光方面，据闪存市场的消息显示，镁光1xnm已经十分成熟，1γnm目前正在扩充产能，生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。同时，为了迎接10nm DRAM的到来，镁光也准备了至少三种新的10nm级工艺：1αnm、1βnm、1γnm。

而在长鑫方面，公司副总裁平尔萱博士在昨日的闪存峰会上表示，公司依靠先进的设备和经验丰富的人才，已经成功把从奇梦达获得的46纳米堆栈式DRAM平稳过度到10纳米级别，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技术和新工艺在DRAM上的实现，力争未来成为这个领域的领先者。让我们期待长鑫在这个市场的表现。